Диэлектрик фильтр – бул түзүмдүн ичиндеги интерференциянын негизинде бир толкун узундугун тандап өткөрүүчү жана башкаларды чагылдырган оптикалык була.Ошондой эле кийлигишүү чыпкасы деп аталат.Микротолкундуу диэлектрдик эффекттердин керамикасы аппараттардын өлчөмүн жана микротолкундуу интегралдык микросхемалардын пакеттөө тыгыздыгын жакшыртат.Ушул себептен улам, ал мобилдик байланыш жана спутниктик байланыш системаларынын базалык станциясында микротолкундуу чыпкалар жана схемалар үчүн кеңири колдонулат, айрыкча 5G.
Тез өнүккөн 5G технологиясы 5G базалык станциясына чоң рынок мейкиндигин, ошондой эле 5g базалык станциясы үчүн диэлектрик чыпкасын алып келет.
Дизайн принциби
Диэлектрик резонатор фильтринин симметриялык модели [1] HFWorksтин чачыратуу параметрлери модулунун жардамы менен талданып, анын өтүү тилкесин, тилкедеги жана тилкеден чыккан басаңдашы жана ар кандай жыштыктар үчүн электр талаасынын бөлүштүрүлүшү аныкталат.Натыйжа [2] көрсөтүлгөндөр менен кемчиликсиз дал келет.Кабелдер жоголгон өткөргүчкө ээ жана тефлондун ички бөлүгү бар.HF Works 2D жана Smith Chart сюжеттерине ар кандай Чачылган Параметрлерди түзүүгө мүмкүнчүлүк берет.Мындан тышкары, электр талаасын бардык изилденген жыштыктар үчүн вектордук жана четки 3D сюжеттеринен көрүүгө болот.
Симуляция
Бул чыпканын жүрүм-турумун имитациялоо үчүн (киргизүү жана кайтаруу жоготуу...) Чачыратуу параметрлеринин изилдөөсүн түзөбүз жана антенна иштеген тиешелүү жыштык диапазонун аныктайбыз (биздин учурда 4 ГГцден 8 ГГцге чейин бирдей бөлүштүрүлгөн 100 жыштык). ).
Катуу заттар жана материалдар
1-сүрөттө биз коаксиалдуу киргизүү жана чыгаруу бириктиргичтери бар диэлектрдик чынжыр фильтринин дискреттелген моделин көрсөттүк.Эки диэлектрдик диск бириктирилген резонаторлордун ролун аткарат, ошондуктан бүт аппарат жогорку сапаттагы өткөрмө чыпкага айланат.
Жүктөө/ чектөө
Эки порт эки коаксиалдык кошкучтун капталдарында колдонулат.Аба кутусунун ылдыйкы беттери Perfect Electric Boundaries катары каралат.Түзүм горизонталдык симметрия тегиздигинен пайда алып келет, ошондуктан биз жарымын гана моделдешибиз керек.Демек, биз HFWorks симуляторуна PEMS чектик шартын колдонуу менен жарыялашыбыз керек;ал PECS же PEMS болобу, симметриянын чегине жакын электр талаасынын багытынан көз каранды.Эгерде тангенциалдык болсо, анда бул PEMS;ортогоналдык болсо, анда ал PECS болуп саналат.
Мешинг
Тор портторго жана УШКнын беттерине топтолушу керек.Бул беттерди торлоштуруу чечүүчүгө куюлма бөлүктөрдөгү анын тактыгын тактоого жана алардын өзгөчө формаларын эске алууга жардам берет.
Жыйынтыктар
Тапшырманын мүнөзүнө жана колдонуучуну кайсы параметрге кызыктырганына жараша ар кандай 3D жана 2D сюжеттерин колдонууга болот. Биз чыпкалоо симуляциясы менен алектенип жаткандыктан, S21 параметринин графигин түзүү интуитивдик тапшырма сыяктуу угулат.
Бул отчеттун башында айтылгандай, HFWorks электрдик параметрлер үчүн ийри сызыктарды 2D участокторунда, ошондой эле Смит диаграммаларында түзөт.Акыркысы дал келген маселелерге көбүрөөк ылайыктуу жана чыпка дизайндары менен алектенгенибизде актуалдуураак.Бул жерден бизде курч өтүүчү тилкелер бар экенин жана топтун сыртында чоң изоляцияга жеткенибизди байкайбыз.
Чачыратуу-параметрлерди изилдөө үчүн 3D сюжеттери параметрлердин кеңири спектрин камтыйт: төмөнкү эки цифра эки жыштык үчүн электр талаасынын бөлүштүрүлүшүн көрсөтөт (бири тилкеде, экинчиси тилкеден тышкары)
Моделди HFWorks резонанстык чечүүчүсү аркылуу да симуляциялоого болот.Биз каалагандай көп режимдерди аныктай алабыз.Мындай изилдөөнү S-Parameter симуляцияланган изилдөөсүнөн алуу оңой: HFWorks сүйрөө жана түшүрүү процесстерине резонанстык симуляцияны тез орнотууга мүмкүндүк берет.Резонанс чечүүчү моделдин EM матрицасын эске алат жана ар кандай Eigen режиминин чечимдерин берет.Натыйжалар мурунку изилдөөлөрдүн натыйжаларына абдан дал келет.Биз бул жерде натыйжа таблицасын көрсөтөбүз:
Шилтемелер
[1] Жаңы 3-DFinite-элементтүү Модалдык жыштык Методду колдонуу менен микротолкундуу чыпкаларды талдоо, Джон Р. Брауэр, IEEE стипендиаты жана Гари С. Лизалек, МИКРОТОЛКУНДУН ТЕОРИЯСЫ ЖАНА ТЕХНИКАЛАРЫНДА IEEE транзакциялары боюнча мүчөсү, Т.45, NO.5-МАЙ, 1997-жыл
[2] John R. Brauer, Fellow, IEEE жана Gary C. Lizalek, IEEE мүчөсү, "Жаңы 3-D чектүү элементтердин модалдык жыштык методун колдонуу менен микротолкундуу чыпкаларды талдоо." IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol45, No. 5, pp.810-818, май 1997.
AsRF пассивдүү компоненттерин өндүрүүчүсү, Цзинхин кыла алатODM & OEMсиздин аныктама катары, эгер сизге кандайдыр бир колдоо керек болсодиэлектрдик чыпкалар, more detail can be consulted with us @sales@cdjx-mw.com.
Посттун убактысы: 25-окт.2021
