उच्च आवृत्ति बैंडपास कैविटी फ़िल्टर 26.95-31.05GHz JX-CF1-26.95G31.05G-30S2 से संचालित होता है

आइटम नंबर: JX-CF1-26.95G31.05G-30S2

विशेषताएँ:
- छोटी मात्रा
- उच्च अस्वीकृति

- कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध है

आर एंड डी टीम

- 10 पेशेवर इंजीनियर हैं

- 15+ वर्षों के विशिष्ट अनुभव के साथ

उपलब्धियों

- 1000+ मामलों की परियोजनाओं को हल करना

- हमारे घटक यूरोपीय रेलवे प्रणालियों, अमेरिकी सार्वजनिक सुरक्षा प्रणालियों से लेकर एशियाई सैन्य संचार प्रणालियों आदि को कवर करते हैं।


वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

विवरण

एसएमए कनेक्टर्स के साथ 26.95-31.05GHz से संचालित होने वाला उच्च आवृत्ति बैंडपास कैविटी फ़िल्टर

JX-CF1-26.95G31.05G-30S2 कैविटी बैंड पास फ़िल्टर विशेष रूप से वाइड पास बैंड के साथ 26.95-31.05GHz से संचालित होने वाली उच्च आवृत्ति के लिए डिज़ाइन किया गया है।18dB से अधिक रिटर्न हानि, 1.5dB से कम प्रविष्टि हानि, 50dB से अधिक अस्वीकृति, और 1ns से कम समूह विलंब भिन्नता की विशेषता, यह SMA कनेक्टर्स के लिए उपलब्ध है, जिसका माप 62.81 मिमी x 18.5 मिमी x 10.0 मिमी है।
इस प्रकार के उच्च आवृत्ति बैंड पास फिल्टर को परिभाषा के रूप में जिंगक्सिन द्वारा इंजीनियर किया गया है।जिंगक्सिन में अधिक कस्टम फ़िल्टर भी उपलब्ध हैं।जैसा कि वादा किया गया था, जिंगक्सिन के सभी आरएफ निष्क्रिय घटकों पर 3 साल की वारंटी है।

पैरामीटर

आवृत्ति बैंड

26950-31050 मेगाहर्ट्ज

हारकर लौटा

≥18dB

निविष्ट वस्तु का नुकसान

≤1.5dB

निवेशन हानि भिन्नता

किसी भी 80MHz अंतराल में ≤0.3dB पीक-पीक

≤0.6dB पीक-पीक 27000-31000MHz की रेंज में

अस्वीकार

≥50dB @ DC-26000MHz
≥30dB @ 26000-26500MHz
≥30dB @ 31500-32000MHz
≥50dB @ 32000-50000MHz

समूह विलंब भिन्नता

≤1ns किसी भी 80 मेगाहर्ट्ज अंतराल में शिखर-शिखर, 27000-31000 मेगाहर्ट्ज की सीमा में

मुक़ाबला

50 ओम

तापमान की रेंज

-30°C से +70°C

उच्च आवृत्ति बैंडपास कैविटी फ़िल्टर से संचालित हो रहा है

कस्टम आरएफ निष्क्रिय घटक

आरएफ निष्क्रिय घटकों के निर्माता के रूप में, जिंगक्सिन ग्राहकों के अनुप्रयोगों के अनुसार विभिन्न डिजाइन कर सकता है।
आरएफ निष्क्रिय घटक की आपकी समस्या को हल करने के लिए केवल 3 कदम
1. आपके द्वारा पैरामीटर को परिभाषित करना।
2. जिंगक्सिन द्वारा पुष्टि के लिए प्रस्ताव पेश करना।
3. जिंगक्सिन द्वारा परीक्षण के लिए प्रोटोटाइप का निर्माण।

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